想请问大佬，MPW最后将大家的版图拼版的时候，能90度旋转几位同学的芯片版图吗？

Andy_ZhangS · 发表于 2025-4-25 10:08:49

如题，我们在做TSMC 65nm工艺的MPW，最后拼版的时候，为了紧凑，就把几个同学的版图90度旋转了。请问这是可以的吗？考虑制造过程中的刻蚀和离子注入，旋转之后是不是会影响MOS管的性能？

主要是ADC，担心影响里面模拟电路的性能。

cherry_li · 发表于 2025-4-25 10:08:50

65nm应该可以的。40nm以下很多foundry对PO的朝向会有额外的要求，如mem的bitcell PO朝向、coredevice PO、critical RES的朝向要求方向一致。

koren12 · 发表于 2025-4-25 11:23:36

既然是同学的，那就可以，哈哈

xxelement · 发表于 2025-4-25 11:26:30

怎么保证一颗die里面所有的管子朝向一致，如果不一致，转90度有什么关系.

Hasta · 发表于 2025-4-25 11:40:35

关于MPW有个问题需要请教一下，给了5mm*5mm的面积，版图拼接需要画个5*5的框框，然后把版图放进这个区域吗？还是只要按照划片道的间距把版图拼接好，面积小于给定的5mm*5mm的面积，随便放置？提供的gds面积小于5mm*5mm的面积就行？

sjx717 · 发表于 2025-4-25 16:57:38

一般来说，有相同模块且性能要求较高不建议方向不一致，其他无所谓，多个chip同理

Andy_ZhangS · 发表于 2025-4-26 01:12:14

Hasta 发表于 2025-4-25 11:40
关于MPW有个问题需要请教一下，给了5mm*5mm的面积，版图拼接需要画个5*5的框框，然后把版图放进这个区域吗 ...

后者即可

我本是高山 · 发表于 2025-4-26 11:40:32

Andy_ZhangS 发表于 2025-4-26 01:12
后者即可

同意

peterlin2010 · 发表于 2025-4-26 12:25:22

Hasta 发表于 2025-4-25 11:40
关于MPW有个问题需要请教一下，给了5mm*5mm的面积，版图拼接需要画个5*5的框框，然后把版图放进这个区域吗 ...

一般 5000x5000 可排方形 , 或 area 一样这勋问 FAB 那边

, 另一个 mpw 内因各 die 大小不同会很难切开最好统一 die size , FAB 好方便切 sub diw saw

Die 能否旋转 , 普通的是可 . device match report 会不同 mos 方向 ,

90~ 0.18um 都还可

先进制程则要求很多

同一个 std_cell 光方向就 aa ab ba 类就不能 .

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