请问NMOS的poly为什么需要进行额外的预掺杂，而PMOS的poly掺杂可以和S/D一起注入

CarlosYan · 发表于 2023-8-8 10:29:14

iamshan · 发表于 2023-8-8 10:29:15

因为NMOS poly掺杂是P或者AS，粒子较大，不容易扩散均匀；尤其是当N+掺杂深度跟poly厚度不匹配的时候，会让掺杂太浅。从而使NMOS靠近poly和栅氧交界的地方掺杂浓度不够大而出现了poly depletion现象。影响器件性能； PMOS没有问题主要使因为Boron太小了，一加热嗖地扩散均匀了，不会出现poly depletion的现象。其实不是所有工艺中都有这一道，比如LG0.18um工艺中有的就有NPOLY implant有的没有。

CarlosYan · 发表于 2023-8-14 15:45:03

学到了，非常感谢您

VicWang · 发表于 2024-4-2 08:49:26

学习一下

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