关于RC clamp的问题

focusanalog · 发表于 2022-8-29 08:54:54

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本帖最后由 focusanalog 于 2022-8-29 08:59 编辑

有人知道RC clamp电路中反相器输出端的电阻是什么作用吗？

qiuqiuheng · 发表于 2022-8-29 09:07:34

电阻多大呢？看上去前边的RC结构应该不起作用了（具体需要仿真），已经变成GRNMOS结构。我猜测可能是为了降低leakage吧。

MicroEpzc · 发表于 2022-8-29 09:55:41

类似RC clamp和GCNMOS的结合？

lynker · 发表于 2022-8-29 10:50:37

MicroEpzc 发表于 2022-8-29 09:55
类似RC clamp和GCNMOS的结合？

有可能通过Metal Change改为GGMOS，流片后可以通过FIB验证两种ESD结构。估计框中电阻值＞30K，这个电阻应该不会影响RC clamp的开启

MicroEpzc · 发表于 2022-8-29 11:21:36

lynker 发表于 2022-8-29 10:50
有可能通过Metal Change改为GGMOS，流片后可以通过FIB验证两种ESD结构。估计框中电阻值＞30K，这个电阻应 ...

我觉得有道理，还想请教下，这样做的话，前一级反相器的P管，在走ESD电流的时候，与电阻分压，会影响后面泄放管的Vt1电压吗？没有电阻的话，泄放管的栅极电压会更高点，有电阻分压后，gate电压下去了些，vt1应该也会变化点吧？也就是说，通过fib来验证这样的可行性？

lynker · 发表于 2022-8-29 12:24:08

MicroEpzc 发表于 2022-8-29 11:21
我觉得有道理，还想请教下，这样做的话，前一级反相器的P管，在走ESD电流的时候，与电阻分压，会影响后面 ...

P输出驱动30K的电阻一点问题都没有，尺寸做大一点就可以了，或者电阻取值大一些，输出高电平不会有多少电压损失。

focusanalog · 发表于 2022-8-29 16:06:23

谢谢各位大佬，学习了

u12u34 · 发表于 2022-8-30 19:09:32

还有可能是反相器输出的BigNMOS的栅压有点高，这里接个下拉电阻，把这个BigNMOS的栅压拉低，Semenov指出这个RC clamp结构中，BigNMOS最好工作在线性区，不要工作在饱和区。

linda1518b · 发表于 2022-9-1 21:25:36

MOS應該是大尺寸, 電阻如果也夠大, 應該就是GRMOS.
MOS有Cgd, R就你Gate掛的, ESD事件時, ESD會透過Cgd讓MOS的channel couple on, 可以讓MOS不要snapback~

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